HYG065N15

HYG065N15NS1P
Маркировка: HYG065N15
Тип транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N-канал
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт
|Vds|ⓘ - Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
|Vgs|ⓘ - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
|Id| ⓘ - Максимальный ток стока: 165 А
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 °C
|VGSth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвора: 4 В
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 96 нКл
tr ⓘ - Время нарастания: 116,6 нс
Cossⓘ - Выходная емкость: 888 пФ
RDSonⓘ - Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 0,0075 Ом
Корпус: TO220