HYG065N15

HYG065N15NS1P
Маркування: HYG065N15
Тип транзистора: MOSFET
Тип керуючого каналу: N-канал
Pd ⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 375 Вт
|Vds|ⓘ - Максимальна напруга стік-витік: 150 В
|Vgs|ⓘ - Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
|Id| ⓘ - Максимальний струм стоку: 165 А
Tj ⓘ - Максимальна температура переходу: 175 °C
|VGSth|ⓘ - Максимальна гранична напруга затвора: 4 В
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 96 нКл
tr ⓘ – Час наростання: 116,6 нс
Cossⓘ - Вихідна ємність: 888 пФ
RDSonⓘ - Максимальний опір сток-витік у відкритому стані: 0,0075 Ом
Корпус: TO220