G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD), TO247

G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD), TO247
Обозначение: G50T65AK5SD
Тип: IGBT + встречно-параллельный диод
Тип канала IGBT: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 Вт
|Vce|ⓘ - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
|Vge|ⓘ - Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 В
|Ic| ⓘ - Максимальный ток коллектора: 50 А при 25 °C
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, тип.: 2 В при 25 °C
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение G-E: 7 В
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания, тип.: 72 нс
Coesⓘ - Выходная ёмкость, тип.: 115 пФ
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, тип.: 86 нКл
Корпус: TO3PN