G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD), TO247

G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD), TO247
Позначення: G50T65AK5SD
Тип: IGBT + зустрічно-паралельний діод
Тип каналу IGBT: N
Pc ⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 268 Вт
|Vce|ⓘ - Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
|Vge|ⓘ - Максимальна напруга затвор-емітер: 30 В
|Ic| ⓘ - Максимальний струм колектора: 50 А при 25 °C
|VCEsat|ⓘ - Напруга насичення колектор-емітер, тип.: 2 при 25 °C |
|VGEth|ⓘ - Максимальна гранична напруга G-E: 7 В
Tj ⓘ - Максимальна температура переходу: 175 °C
tr ⓘ – Час наростання, тип.: 72 нс
Coesⓘ - Вихідна ємність, тип.: 115 пФ
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора, тип: 86 нКл
Корпус: TO3PN