BT139-600E TO220 NXP (PH)

BT139-600E TO220 NXP (PH)

Описание

TRIAC, NXP Semiconductors

Технические параметры

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600

Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 600

Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А 16

Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А 140

Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В 1.6

Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А 0.1

Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В 1.5

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс 20

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс 20

Время включения tвкл.,мкс 2

Рабочая температура,С -40…125

Корпус to220ab

Конфигурация single

Тип симистора logic-sensitive gate

Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В 600

Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А 16

Отпирающее постоянное напряжение управления, В 1.5

Ударный ток в открытом состоянии, А 155

Отпирающий постоянный ток управления, мА 10

Ток удержания, мА 45

Корпус TO-220AB

Вес, г 2.5