BT139-600E TO220 NXP (PH)

BT139-600E TO220 NXP (PH)

Опис

TRIAC, NXP Semiconductors

Технічні характеристики

Максимальна зворотна напруга Uобр., 600

Макс. напр. в закритому стані Uзс.повт.макс., 600

Макс. середнє за період значення струму у відкритому стані Iос.ср.макс., А 16

Макс. короткочасний імпульсний струм у відкритому стані Iкр.макс.,А 140

Макс. напр. у відкритому стані Uос.макс., 1.6

Найменший постійний струм управління, необхідний включення тиристора Iу.от.мин.,А 0.1

Відмикаюча напруга управління, що відповідає мінімальному постійному струму, що відмикає Uу.от.,В 1.5

Критична швидкість наростання напруги в закритому стані dUзс./dt, В/мкс 20

Критична швидкість наростання струму у відкритому стані dI/dt,А/мкс 20

Час увімкнення tвкл., мкс 2

Робоча температура, З -40 ... 125

Корпус to220ab

Конфігурація single

Тип симистора logic-sensitive gate

Максимальна напруга в закритому стані, 600

Максимально допустимі струми у відкритому стані, А 16

Відмикаюча постійна напруга управління, 1.5

Ударний струм у відкритому стані, А 155

Відпірний постійний струм управління, ма 10

Струм утримання, ма 45

Корпус TO-220AB

Вага, г 2.5