60R580P TO-252-2

MMF60R580P, транзистор MOSFET N-CH 600 В 8А 3-контактный (2+Tab) DPAK
600 В 7 А 500 мОм при 10 В, 3 А 63 Вт 4 В при 250 мкА N-канальные TO-252-2 MOSFET ROHS
Технические параметры
Непрерывный ток стока (Id) 7 А
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on) при Vgs, Id) 500 мОм при 10 В, 3 А
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 В
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th) при Id) 4 В при 250 мкА
Входная емкость (Ciss при Vds) 587 пФ при 50 В
Рабочая температура -55℃~+150℃ при (Tj)
Рассеивание мощности (Pd) 63 Вт
Обратная передаточная емкость (Crss@Vds) 4 пФ@50 В
Общий заряд затвора (Qg@Vgs) 14,5 нКл@10 В
Канал типа N
Вес, г 0,54