60R580P TO-252-2

MMF60R580P, транзистор MOSFET N-CH 600 В 8А 3-контактний (2+Tab) DPAK
600 В 7 А 500 мОм при 10 В, 3 А 63 Вт 4 В при 250 мкА N-канальні TO-252-2 MOSFET ROHS
Технічні параметри
Безперервний струм стоку (Id) 7 А
Опір сток-витік у відкритому стані (RDS(on) при Vgs, Id) 500 мОм при 10 В, 3 А
Напруга стік-витік (Vdss) 600 В
Порогова напруга затвора (Vgs(th) при Id) 4 при 250 мкА
Вхідна ємність (Ciss при Vds) 587 пФ при 50 В
Робоча температура -55℃~+150℃ при (Tj)
Розсіювання потужності (Pd) 63 Вт
Зворотна передатна ємність (Crss@Vds) 4 пФ@50 В
Загальний заряд затвора (Qg @ Vgs) 14,5 нКл @ 10 В
Канал типу N
Вага, м 0,54