4N65

4N65
Маркировка: 4N65
Тип транзистора: MOSFET
Тип канала управления: N-канал
Предельно допустимые параметры
Pd ⓘ — Максимальная рассеиваемая мощность: 106 Вт
|Vds| ⓘ — Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
|Vgs| ⓘ — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В
|Id| ⓘ — Максимальный ток стока: 4 А
Tj ⓘ — Максимальная температура перехода: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth| ⓘ — Максимальное пороговое напряжение затвора: 4 В
Qg ⓘ — Полный заряд затвора: 100 нКл
tr ⓘ — Время нарастания: 100 нс
Coss ⓘ — Выходная емкость: 70 пФ
RDSon ⓘ — Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 2,4 Ом
Корпус: TO-220F