4N65

4N65
Маркування: 4N65
Тип транзистора: MOSFET
Тип каналу керування: N-канал
Гранично допустимі параметри
Pd ⓘ — Максимальна потужність, що розсіюється: 106 Вт
|Vds| ⓘ - Максимальна напруга сток-витік: 650 В
|Vgs| ⓘ - Максимальна напруга затвор-витік: 30 В
|Id| ⓘ - Максимальний струм стоку: 4 А
Tj ⓘ — максимальна температура переходу: 150 °C
Електричні характеристики
|VGSth| ⓘ — Максимальна гранична напруга затвора: 4 В
Qg ⓘ - Повний заряд затвора: 100 нКл
tr ⓘ - Час наростання: 100 нс
Coss ⓘ - Вихідна ємність: 70 пФ
RDSon ⓘ — Максимальний опір сток-витік у відкритому стані: 2,4 Ом
Корпус: TO-220F