2SK3878

2SK3878, транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт
MOSFET, N-канальный, 9A, 900 В, TO3P; 
Полярность транзистора: N-канальный;
Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,3 Ом; 
Пороговое напряжение Vgs:4 В; 
Рассеиваемая мощность Pd: 150 Вт; 
Тип корпуса транзистора: TO-3P; 
Количество контактов: 3PIN; 
Максимальная рабочая температура: 150°C; 
Тип транзистора: Силовой MOSFET;
Технические параметры
Структура N-Channel 
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9 
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/4А, 10В 
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150 
Крутизна характеристики, S 7 
Корпус TO-3PN
Пороговое напряжение на затворе 4 
Вес, г 4.6