2SK3878

2SK3878, транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт
MOSFET, N-канальний, 9A, 900, TO3P;
Полярність транзистора: N-канальний;
Опір включення Rds (вкл.): 1,3 Ом;
Порогова напруга Vgs: 4;
Розсіювана потужність Pd: 150 Вт;
Тип корпусу транзистора: TO-3P;
Кількість контактів: 3PIN;
Максимальна робоча температура: 150 ° C;
Тип транзистора: Силовий MOSFET;
Технічні параметри
Структура N-Channel
Максимальна напруга сток-витік Uсі, 900
Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс..А 9
Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., ±30
Опір каналу у відкритому стані Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/4А, 10В
Максимальна потужність, що розсіюється, Pсі макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 7
Корпус TO-3PN
Порогова напруга на затворі 4
Вага, р 4.6