S60N12R

S60N12R MOSFET N-канальний транзистор 60V 120A TO220
Наименование: S60N12R
Тип транзистора: MOSFET 
Полярность: N
Корпуса: ТО220
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 162 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 63 ns
Выходная емкость (Cd): 573 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0054 Ohm