КТ816Г

КТ816Г

Корпус-ТО126

Производитель Минск

Транзисторы КТ816Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Тип транзистора Биполярный

Тип биполярного транзистора P-N-P

Материал корпуса Пластик

Максимально допустимое напряжение коллектор-база 80 В

Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 100 В

Максимально допустимый ток коллектора 6 А

Максимальная мощность рассеивания 10 Вт

Тип монтажа Ручной монтаж