IRG4PC40UD

IRG4PC40UD 
Тип транзистора: IGBT + Diode 
Тип управляющего канала: N 
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 160 
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600 
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.72 
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6 
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150 
Время нарастания типовое (tr), nS: 57 
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 140 
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100 
Корпус: TO247AC