IPP111N15N3G

Наименование производителя: IPP111N15N3G
Маркировка: 111N15N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
Пороговое напряжение включения: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
Максимальная температура канала: 175 °C
Общий заряд затвора: 41 nC
Время нарастания: 35 ns
Выходная емкость: 378 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
Корпус: TO220