GT35J321
Артикул:
gt35j321_to3p
Оставить отзыв
Есть в наличии
На складе, шт.: 30
Способы доставки
- Самовывоз из Новой почты
- Курьер Новой Почты
- Самовывоз из магазина
Способы оплаты
- Наличными при получении
- Безналичный перевод
- Приват 24
GT35J321
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер Vce: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор Vge, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 37
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое VCE, V: 1.9
Наличие диода есть
Время восcтановления диода (trr), нс 190
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Тип корпуса: TO-3PN
Пока нет комментариев
