FGA25N120ANTD, транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод TO-3PN

Описание
Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Технические параметры
Технология/семейство npt trench 
Наличие встроенного диода да 
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50 
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90 
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.65 
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 312 
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50 
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 190 
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150 
Корпус to-3p 
Структура igbt+диод 
Управляющее напряжение,В 5.5 
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод 
Вес, г 6.5