CRG75T65AK5HD

CRG75T65AK5HD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G75T65AK5HD
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
Максимальная температура перехода: 175 ℃
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Время нарастания типовое: 103 nS
Выходная емкость, типовая: 278 pF
Общий заряд затвора, typ: 173 nC
Тип корпуса: TO247