H20R1202

H20R1202
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: H20R1202
Тип керуючого каналу: N
Граничні значення
Pc ⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 330 W
|Vce|ⓘ - гранично-допустима напруга колектор-емітер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальний постійний струм колектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - максимальна температура переходу: 175 ℃
Електричні характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 6.4 V
Coesⓘ - Вихідна ємність, типова: 59 pF
Qg ⓘ - загальний заряд затвора, тип: 143 nC
Тип корпусу: TO247