FSW25N50A

FSW25N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Граничні значення
Pd ⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 230 Вт
|Vds|ⓘ - Максимально допустима напруга стік-джерело: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустима напруга затвор-джерело: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 25 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Електричні характеристики
|VGSth|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 96 nC
tr ⓘ - Час наростання: 117 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 410 pf
RDSonⓘ - Опір сток-джерело відкритого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпусу: TO3PN