4N60B

Найменування виробника: SSS4N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd ⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 33 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 4 A
Tj ⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qg ⓘ - Загальний заряд затвора: 22 nC
tr ⓘ - Час зростання: 55 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 65 pf
Rds ⓘ - Опір стік-витік відкритого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпусу: TO-220F