2SB817

Біполярний транзистор 2SB817
Найменування виробника: 2SB817
Тип матеріалу: Si
Полярність: PNP
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 100 W
Максимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 160 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 160 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 6 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 12 A
Гранична температура PN-переходу (Tj): 150 °C
Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 7.5 MHz
Ємність колекторного переходу (Cc): 300 pf
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 60
Корпус транзистора: TO-3P(N)